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高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用

专利名称:	高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	CN202010813742.1
专利号:
申请日期:	2020.08.13
第一发明人:	房强
第一发明人英文:
其他发明人:	刘凤萍、孙晶
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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